Caractéristiques structurelles du tube MOS et de l'IGBT

Dans les circuits électroniques, MOS et IGBT apparaîtront souvent, et ils peuvent tous être utilisés comme éléments de commutation. MOS et IGBT sont également quelque peu similaires en apparence et en paramètres caractéristiques. Pourquoi certains circuits utilisent MOS ? Et certains circuits utilisent des IGBT ?

Le module IGBT est composé d'une couche supplémentaire sur le drain du MOSFET.

Le module IGBT est en fait une combinaison de MOSFET et de triode à transistor. Le MOSFET présente l'inconvénient d'une résistance à l'état passant élevée, mais le module IGBT élimine cet inconvénient et le module IGBT a toujours une faible résistance à l'état passant à haute tension.

De plus, avec des modules IGBT et des MOSFET à capacité de puissance similaire, la vitesse des modules IGBT peut être plus lente que celle des MOSFET.

Ce qui précède est les caractéristiques structurelles du tube MOS et de l'IGBT introduits par Inheritance Electronics